8月10日，三星半导体在第五届OCP中国日2023（开放计算中国技术峰会）上分享了两项开放协作应对内存墙限制的创新技术解决方案和商业策略。 三星电子副总裁、半导体业务软件开发团队负责人张世万（Chang）发表了《扩大开放协作，拥抱高效大数据时代》的主题演讲。 他表示：“当前内存技术的发展面临内存墙限制的挑战。我们的第一个解决方案是引入主动存储（ ）建立新的内存层次结构，第二个是发展以数据为中心的计算技术。”

三星电子副总裁、半导体业务软件开发团队负责人张世万发表主题演讲

峰会上，三星半导体介绍了针对人工智能和机器学习开发的创新技术、能够有效突破内存墙限制的存储解决方案，例如针对高性能计算优化的高带宽存储“HBM3”，可放置在处理器旁边提供高速性能和大容量内存，具有高达819GB/s的性能和24GB内存容量； 以及可以增加内存容量并提高能源效率的内存解决方案“CXL （CXL）”，也是基于CXL协议，能够高效迁移的“内存-语义固态硬盘（-SSD）”内存和存储之间的数据。 这些技术的发展为千兆海量存储解决方案的发展奠定了基础。

三星半导体2023年OCP中国日现场展位

去年，三星推出了全球首款用于服务器的 PCIe 5.0 SSD。 该硬盘不仅能效提高一倍，而且还采用了自己的多租户技术。 在峰会上，三星表示预计今年将部署在需要超高性能的生成式人工智能应用中。

随后，三星特别推出了通过OCP在中国首次公开展示的超高性能PCIe 5.0数据中心专用SSD。 它采用了三星先进的控制器、软件和系统技术，其最大的优势在于它是一款8通道产品，可以提供每TB的随机写入性能（最大8TB）。 与上一代相比，随机性能提升1.8倍，能效提升1.6倍。 此外，在高温高湿环境下仍能保持可靠性，为各种数据中心环境提供稳定的解决方案。 还采用SPDM（安全协议和数据模型）功能来保护设备上的信息，加强了机密性和完整性的认证。 目前开发工​​作已经完成，预计明年上半年将推出多种形式的产品，以满足客户的需求。

同时，三星还分享了其全新千兆位超高容量闪存解决方案“PBSSD”，该解决方案将三星最新的V-NAND技术与各种内存/存储设备相结合，提供高性能、大容量、节能——高效存储可以有效帮助数据中心存储资源、降低成本、提高效率。

三星半导体表示，通过千兆位闪存解决方案（PBSSD）和存储扩展器等主动存储解决方案可以有效提高系统性能。

三星半导体技术人员正在现场讲解产品

为了克服技术挑战，三星半导体认为开放式创新是其有效方法之一。 为此，三星将在内存研究中心（SMRC）内建立OCP体验中心。 作为与合作伙伴、OCP成员、学术利益相关者共创的平台，成员们可以在体验中心共同解决技术问题，进一步推动开源发展，实现更多的技术创新。

事实上，“内存墙”并不是三星面临的唯一挑战。 更快的速度处理数据需要大量的电力消耗，这必然会导致大量的碳排放。 为了到2050年实现碳中和的目标，三星开发并应用了生命周期评估（LCA）流程来计算和检测所有产品的碳排放量，以减少产品生命周期和半导体供应链中对环境的影响。 三星还加入了IMEC的可持续半导体技术和系统（SSTS）计划，通过合作创建可持续半导体生态系统和开发计算碳排放的技术，实现环境保护和可持续发展的最终目标。

最后，三星电子副总裁张世万（Chang）表示，“作为一家致力于内存技术发展的公司，我们将持续推动中国市场的OCP开放创新，这将成为推动技术进步的重要因素”发展并突破记忆墙等限制。” 势头。 通过开放和合作，我们将共同达到新的高度。”

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